外延石墨烯

石墨烯多层膜在单晶碳化硅上外延生长。该系统由若干石墨烯层组成，其中第一层因内建电场而呈电子掺杂，其他层基本未掺杂。与石墨不同，其载流子表现出狄拉克粒子特性（即反常贝里相位、弱反局域化以及朗道能级能量的平方根磁场依赖关系）。外延石墨烯表现出准弹道输运和长相干长度；这些特性可能在低温以上仍能保持。矛盾的是，与剥离石墨烯相比，在高迁移率外延石墨烯中未观察到量子霍尔效应。该效应似乎因材料体相中缺乏局域态而被抑制。外延石墨烯可以使用标准光刻方法进行图案化，并可使用多种技术进行表征。这些有利特性表明，互连的室温弹道器件可能适用于低功耗高速纳米电子学。