Penta-graphene 与 Penta-SiC2 的 XANES 吸收光谱：不同终止态的计算研究
材料科学
2025-08-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在最近的研究中，penta-graphene 与 penta-SiC2 作为由完全由五边形构成的创新二维材料而引起广泛关注。然而，这些材料的理论表征仍存在显著差距，这妨碍了其合成及潜在技术应用的进展。本研究旨在通过 ab initio 计算方法，探索这些材料的 X射线近边色谱 (XANES)。具体而言，我们分析了 penta-graphene 在原料、氢化和羟基化态中的 XANES 光谱，同时研究了在 penta-graphene 和 pentagraphane 中单硅取代的效应。此外，我们计算了原料和氢化态 penta-SiC2 的 XANES 光谱。本工作为通过 X射线光谱在实验层面上识别 penta-graphene 与 penta-SiC2 相位奠定了基础，并为这些材料在光学器件中的吸收性能工程化工作提供了基础。
引用
@article{arxiv.2508.00704,
title = {XANES absorption spectra of penta-graphene and penta-SiC2 with different terminations: a computational study},
author = {Andrea Pedrielli and Tommaso Morresi and Simone Taioli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.00704},
year = {2025}
}