偏移且截断的 Maxwellian 电子速度分布函数近壁处是否 exhibit 不同的电子电流？

为探索基于流体方法处理电子及电子 Bohm 准则的 Langmuir 探针 I-V 特性所作的预测，我们进行了实验并呈现了结果。当电子处于高度碰撞状态时，Langmuir 探针的 I-V 特性的预测以等离子体电位和电子饱和电流的估计形式呈现，主要表现为曲线肩部的圆滑。采用减小边缘效应并带有警戒环的 Langmuir 探针，以最小化测量数据的几何效应。为描述曲线肩部的圆滑， presented various methods for defining plasma 电位附近的临界点。此外，还利用了发射式和截止式探针，以获取批量等离子体属性，提供了准确的参考等离子体参数。从电子-离子声不稳定性增强的电子-电子碰撞理论中，确立了电子在壁面附近 exhibit 偏移 Maxwellian 速度分布、且流体方法适用的物理有效条件。本文中，我们进行了从无碰撞到高度碰撞的电子实验扫描，并结合理论进行了考察。我们的观察表明，Langmuir 探针可由代表常规智慧的模型来理解，即截断电子速度分布模型。此结果表明，电子-电子碰撞的增强和/或壁面附近电子流体方法的不完整性并未被观察到。