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离子到电子鞘层转变的粒子模拟研究

等离子体物理 2016-08-24 v1

摘要

使用二维粒子模拟(PIC)研究了小电极附近、偏压从低于到高于等离子体电势变化的鞘层形态。研究了五种情形:(A)偏压低于等离子体电势超过电子温度(Te/eT_e/e)的电极,(B)偏压低于等离子体电势小于 Te/2eT_e/2e 的电极,(C)偏压几乎位于等离子体电势的电极,(D)偏压高于等离子体电势大于 Ti/2eT_i/2e 但小于 Te/2eT_e/2e 的电极,以及(E)偏压远高于等离子体电势大于 Te/2eT_e/2e 的电极。在情形(A)中,观察到电子速度分布函数(EVDF)为麦克斯韦分布,并通过离子鞘层和预鞘层呈玻尔兹曼型指数密度衰减。在情形(B)和(C)中,由于快电子克服电极与等离子体之间的小电势差,EVDF表现出损失锥型截断。该区域不存在鞘层,等离子体保持准中性直至电极。EVDF截断导致了类预鞘层的密度和流速梯度。在情形(D)中存在电子鞘层,且本质上所有离子被排斥。此处截断驱动的行为持续,但伴随EVDF最大值移动,而负偏压情形中无此现象。在情形(E)中,流动偏移变大且损失锥进一步移入EVDF的尾部。此情形下,流动矩显著贡献来自EVDF最大值的流动偏移和损失锥截断两者。

关键词

引用

@article{arxiv.1604.08251,
  title  = {Particle-in-cell study of the ion-to-electron sheath transition},
  author = {Brett Scheiner and Scott D. Baalrud and Matthew M. Hopkins and Benjamin T. Yee and Edward V. Barnat},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08251},
  year   = {2016}
}