母相绝缘铜氧化物中真实的电荷转移能隙是多少？
强关联电子
2015-05-28 v1 超导电性
摘要
大量实验数据表明，母相绝缘铜氧化物的电荷转移不稳定性是其独特性质。我们论证这些化合物中真实的电荷转移（CT）能隙仅为0.4-0.5 eV，而非通常由光学能隙测量推导出的1.5-2.0 eV。事实上，我们处理的是常规（3d）基态与形成电子-空穴二聚体的电荷转移（CT）态之间的竞争，该二聚体在掺杂下演化为一种非常规玻色子系统。我们的猜想确实为母相铜氧化物的主要实验发现提供了统一的视角，包括线性与非线性光学、拉曼、光电子能谱、光吸收以及任何与CT激发相关的输运性质。此外，我们提出了一个在非等价掺杂下CT不稳定铜氧化物中CuO平面演化的物理图景。
引用
@article{arxiv.1105.3159,
title = {What is the true charge transfer gap in parent insulating cuprates?},
author = {A. S. Moskvin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.3159},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 5 figures, submitted to PRB