磁绝缘体/拓扑绝缘体双层中阻尼常数的电压调控
介观与纳米尺度物理
2021-06-23 v1 材料科学
应用物理
摘要
磁阻尼常数是磁化动力学以及存储器件与磁子输运效率的关键参数。因此，通过电场对其调控在自旋电子学中至关重要。本文中，我们从理论上证明了铁磁/亚铁磁绝缘体 (FI)/拓扑绝缘体 (TI) 双层中磁阻尼的电压调控。假设类电容器结构，我们将 FI/TI 界面处由自旋-电荷泵浦诱导的有效耗散力矩表述为外加电压的函数。通过使用实际材料参数，我们发现厚度为 10nm 的 FI 的有效阻尼在 0.25V 电压下可被调谐一个数量级。此外，我们提供了关于邻近耦合 FI 上磁子自旋输运的电压诱导调制的展望。
引用
@article{arxiv.2106.03332,
title = {Voltage-control of damping constant in magnetic-insulator/topological-insulator bilayers},
author = {Takahiro Chiba and Alejandro O. Leon and Takashi Komine},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.03332},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 3 figures. Accepted to Applied Physics Letters