利用扫描隧道显微镜可视化 ZrSiSe 中的电子拓扑
材料科学
2018-09-26 v1
摘要
作为新兴的拓扑节线半金属，ZrSiX（X = O、S、Se、Te）家族因其在自旋电子学中的未来应用而在凝聚态物理中引起广泛兴趣。此处，我们应用扫描隧道显微镜 (STM) 研究 ZrSiSe 的结构对称性与电子拓扑。基于偏压选择性形貌对 ZrSe 双层的晶格结构进行量化，验证了滑移镜面对称性。准粒子干涉分析用于识别 ZrSiSe 的能带结构。节线在费米能级之上约 250 meV 处被实验确定。还确定了费米能级之下约 400 meV 处的额外表面态狄拉克点。我们的 STM 测量为 ZrSiX 家族中的节线态提供了直接实验证据。
引用
@article{arxiv.1801.09979,
title = {Visualization of electronic topology in ZrSiSe by scanning tunneling microscopy},
author = {Kunliang Bu and Ying Fei and Wenhao Zhang and Yuan Zheng and Jianlan Wu and Fangchu Chen and Xuan Luo and Yuping Sun and Qiunan Xu and Xi Dai and Yi Yin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09979},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 6 figures