对角非侵入性的违背:非经典记忆效应的标志
量子物理
2025-07-09 v4
摘要
本文定义了一种基于操作(测量)的方案,将开放量子系统中的测量侵入性与非经典记忆效应的存在联系起来。其理论基础依赖于(无记忆)量子马尔可夫动力学在相应可观测量与系统密度矩阵在同一基底下对角时的非侵入可测性。相反,该性质的违背可与内禀非经典记忆效应相关。从这一视角出发,得出了由量子记忆效应导致 Leggett-Garg 不等式违背的相关条件。所发展的方法适用于时间演化由完整幺正(微观)描述导出的开放量子动力学、随机哈密顿量动力学,以及广泛一类非幺正系统-环境模型(二分 Lindblad 方程)。
引用
@article{arxiv.2301.02500,
title = {Violation of Diagonal Non-Invasiveness: A Hallmark of Non-Classical Memory Effects},
author = {Adrián A. Budini},
journal= {arXiv preprint arXiv:2301.02500},
year = {2025}
}
备注
12 pages, 2 figures, improved presentation