硅中缺陷的振动谱：一种轨道半径方法
mtrl-th
2009-10-30 v1 atom-ph
chem-ph
材料科学
摘要
提出了一种关于半导体中缺陷伸缩振动频率的现象学方法。根据基于第一性原理赝势的轨道半径和相关元素的主量子数定义了一种新的量子标度。建立了Sanderson电负性与该量子标度之间的普适线性关系。接着，我们表明硅网络中氢和氯的伸缩振动频率与该量子标度呈线性标度关系。由此可对Si-H和Si-Cl周围的缺陷环境进行预测和识别。对多孔硅中振动模式的归属进行了批判性检验。我们在一般Mendeleveyan标度的背景下讨论了所提出的标度，并给出其合理性依据。我们相信该方法可有益地推广到其他半导体的振动谱。
引用
@article{arxiv.mtrl-th/9603004,
title = {Vibrational Spectra of Defects in Silicon: An Orbital Radii Approach},
author = {H. C. Verma and George C. John and Vijay A. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:mtrl-th/9603004},
year = {2009}
}
备注
Only text included, figures available on request from [email protected]; Phys. Rev. B (to appear)