稀释半导体合金中的杂质模与团簇效应
材料科学
2008-01-23 v1
摘要
混合闪锌矿型半导体中 TO 区中心振动谱随浓度的变化，可以在统一的“一键双模”方法范式内得到理解，该方法最近被概述为一个相当普遍的概念，并源自大量先前的实验和理论研究。关键问题在于，与特定阳离子 - 阴离子键相关的振动频率取决于该键的长度，而键长不仅取决于平均合金浓度，还取决于其局部变化。在 (A,B)C 置换合金中，A-C 键长在富 A 区和贫 A 区有所不同，导致 A-C 振动频率发生分裂。这种分裂可以通过测量并在第一性原理计算中复现。对振动谱的分析有助于深入了解结构短程（团簇）和长程（在介观尺度上形成特定阳离子 - 阴离子对的延伸链及其他结构基元）趋势。然而，为此首先需要对代表性模型系统进行第一性原理基准计算。第一性原理计算得出的最简单却重要的结果是预测了当孤立（远距离）杂质发生团簇时，杂质声子模如何演化。
引用
@article{arxiv.0801.3419,
title = {Impurity modes and effect of clustering in diluted semiconductor alloys},
author = {Andrei Postnikov and Olivier Pages and Ayoub Nassour and Joseph Hugel},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.3419},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 3 figures, proceedings at the NAMES2007 seminar, Metz, Nov.2007