通过杂质诱导的局域晶格畸变评估多带超导体的结构成键特性:以 MgB2 为例
材料科学
2011-10-21 v1 超导电性
摘要
我们报道了对掺入 MgB2 镁亚晶格的锌、铜和锆等替代型离子杂质进行从头算建模的结果。计算研究的目标是从原子尺度理解宿主阳离子的改变如何影响局域离子环境的结构与成键特性。对所给定的替代离子集合所进行的模拟表明,在低掺杂水平下,所诱导的晶格畸变及附加力相当微小。同时,杂质周围的电子再分布被发现彼此之间以及与宿主阳离子周围的情况均显著不同。第一性原理计算的结果被用于在阳离子特性的背景下,比较并讨论由杂质存在所引起的局域电荷结构与化学成键的特定变化。我们发现了替代离子效应中的若干趋势。我们确定了替代离子如何修饰宿主阳离子位置周围的初始电荷分布,从而既影响参与化学成键的电子态的整体图像,也影响内禀的电荷转移通道。本工作深入揭示了杂质诱导过程的结构与电子特征,这些特征对各种 MgB2 固溶体所特有的材料性质有所贡献。
引用
@article{arxiv.1110.4563,
title = {Assessing structural bonding aspects of multiband superconductors through impurity-induced local lattice distortions: a case study on MgB2},
author = {Aleksandr Pishtshev and Mihhail Klopov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.4563},
year = {2011}
}
备注
19 pages, 4 figures