利用自旋适配提升条件对半填充以下 Hubbard 模型进行变分双粒子密度矩阵计算
强关联电子
2012-05-22 v2
摘要
双粒子密度矩阵的变分确定是一项有趣但尚未充分探索的技术，它允许在不参考 N 粒子波函数的情况下获得量子多体系统的基态性质。一维费米子 Hubbard 模型先前已使用该方法研究过，采用了密度矩阵的标准二指标和三指标条件 [J. R. Hammond 等人, Phys. Rev. A 73, 062505 (2006)]，而最近的一项研究探索了所谓的子系统约束 [N. Shenvi 等人, Phys. Rev. Lett. 105, 213003 (2010)]。这些研究报告了即使仅使用标准二指标条件也能获得良好结果，但始终局限于半填充晶格。在本快报中，我们证实了二指标方法在其他填充情况下失效。在这种情况下，绝对需要一部分三指标条件来描述强排斥极限下的正确物理。我们表明，应用提升条件 [J.R. Hammond 等人, Phys. Rev. A 71, 062503 (2005)] 是实现这一目标最经济的方式，同时仍能避免计算量更大的三指标条件。进一步扩展到自旋适配提升条件可在中等排斥区间提高精度。同时，我们证实了此类研究对于二维 Hubbard 模型中更复杂的相图是可行的。
引用
@article{arxiv.1110.5732,
title = {Variational two-particle density matrix calculation for the Hubbard model below half filling using spin-adapted lifting conditions},
author = {Brecht Verstichel and Helen van Aggelen and Ward Poelmans and Dimitri Van Neck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5732},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 2 figures