钒掺杂 beta-Ga2O3 单晶：生长、光学与太赫兹特性表征
材料科学
2022-03-10 v1
摘要
我们报道了通过光悬浮区法生长的具有高电阻率的钒掺杂 beta-Ga2O3 单晶。通过仔细控制生长参数，可以合成出与通常的 n 型 V 掺杂 beta-Ga2O3 (ne~10^(18)/cm^3) 相比具有极高电阻率的 V 掺杂晶体。与未掺杂和 n 型掺杂晶体相比，此类高阻 V 掺杂 b-Ga2O3 的光学性质有显著不同。我们研究了偏振相关拉曼光谱、偏振相关透射率、光学波长范围内的变温光致发光，以及 0.2 - 2.6 THz 范围内的太赫兹透射特性。V 掺杂绝缘 Ga2O3 晶体表现出强烈的双折射，在 1 THz 处折射率对比 Dn 为 0.3+-0.02，表明其是太赫兹区域光学应用的理想材料。
引用
@article{arxiv.2203.04941,
title = {Vanadium doped beta-Ga2O3 single crystals: Growth, Optical and Terahertz characterization},
author = {Maneesha Narayanan and Ajinkya Punjal and Emroj Hossain and Shraddha Choudhary and Ruta Kulkarni and S S Prabhu Arumugam Thamizhavel and Arnab Bhattacharya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.04941},
year = {2022}
}