拓扑电路中的谷霍尔效应与扭折态

我们研究了一个二维拓扑电学（TE）模型中由于手性和反射对称性破缺而出现的拓扑谷霍尔与扭折态。该TE系统由两段组成，分别承载具有相反谷霍尔指数符号的不同拓扑态，并由异质结分隔。在实际电路中，可通过调节各段子格节点上的在位势来翻转两段之间的谷霍尔指数。电阻耦合的引入使系统呈现非厄米性，随后在导纳谱中导致有隙和无隙的谷态与扭折态的出现。这些拓扑模式可通过系统的阻抗读数进行电学探测，并与导纳谱相关联。最后，我们通过考虑电路元件固有的容差窗口和寄生效应的实际LTspice仿真，确认了谷霍尔与扭折态的鲁棒性。我们的研究展示了TE电路网络作为实现和调控谷依赖及扭折拓扑现象平台的适用性。