稠密氦气中电子迁移率启发式模型的验证

对稠密冷氦气中准自由电子迁移率 $\mu$ 随密度 $N$ 变化的研究因相当一部分电子局域于低迁移率气泡中而困难重重。测得的迁移率是慢电子气泡（其迁移率由流体力学决定）与快准自由电子贡献的加权平均。因此需要对快电子迁移率作出精确描述。过去我们开发了一个启发式模型，已成功阐释氩气和氖气中的电子迁移率。为验证该模型，我们在温度范围 $\textbf{26} \, \text{K} < \text{\em T} < \textbf{300}\,$K、且局域态可忽略的密度条件下，对氦气中电子迁移率进行了新的精确测量。对这些新数据的分析证实了该模型的有效性。