来自排斥性局域库仑相互作用的d带中的价态跳跃与负U
强关联电子
2015-08-11 v1
摘要
我们表明，仅排斥性局域库仑相互作用就能在简并d带中驱动价态跳跃电荷歧化，导致有效负U。该效应源于各向异性轨道多极散射，且仅发生在d^1、d^4、d^6和d^9填充（及其邻近填充）时。推导了价态跳跃的明确边界，并计算了d^4和d^6的顺磁相图。我们还确定，价态跳跃金属在其局域价分布方面与类原子洪德金属非常不同。这些发现解释了为何具有上述d带填充的过渡金属化合物更容易出现价态跳跃电荷序和反常超导电性。
引用
@article{arxiv.1303.4215,
title = {Valence-skipping and negative-U in the d-band from repulsive local Coulomb interaction},
author = {Hugo U. R. Strand},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4215},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures