BEDT-TTF二聚体中的有效库仑相互作用

我们计算了真空中有机分子BEDT-TTF二聚体内空穴之间的有效库仑相互作用。我们使用密度泛函理论(DFT)对β相和κ相有机电荷转移盐的Hubbard模型进行参数化。我们重点关注二聚体内库仑排斥U_d和单体间库仑排斥V_m。我们发现，对于取自两种多晶型多种材料的23种实验几何构型，U_d = 3.22 ± 0.09 eV，V_m = 2.71 ± 0.10 eV。所引用的误差是所研究构型集合上的一个标准差。我们得出结论，对于所研究的所有化合物中存在的几何构型，孤立二聚体的U_d和V_m本质上是相同的。我们强调了我们的Hubbard模型参数化与先前DFT和Hückel方法结果之间的不一致，并表明这是由于先前计算中一个假设（即U_m >> V_m，其中U_m是有效单体库仑排斥）的失效所致。我们讨论了我们的计算对基于二维各向异性三角晶格上Hubbard模型的BEDT-TTF盐理论的意义，并探讨了构象无序在这些材料中的作用。