硅中空位团簇与扩散:动力学晶格蒙特卡洛模拟
材料科学
2007-05-23 v1 统计力学
摘要
通过动力学晶格蒙特卡洛模拟,研究了硅中晶格空位的扩散和团簇化随温度、浓度和相互作用范围的变化。研究发现,较高的温度导致形成更大的团簇,但平均寿命更短,这些团簇通过吸引自由空位而生长,而较低温度下的团簇则通过较小团簇的聚集而生长。长相互作用范围产生增强的扩散率和更少的团簇。更高的空位浓度导致更多的团簇,自由空位更少,但团簇的大小在很大程度上与浓度无关。空位扩散率随时间服从幂律行为,并且该定律的指数在固定温度下随浓度增加而增加,在固定浓度下随温度降低而降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606781,
title = {Vacancy clustering and diffusion in silicon: Kinetic lattice Monte Carlo simulations},
author = {Benjamin P. Haley and Keith M. Beardmore and Niels Grønbech-Jensen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606781},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 12 figures. To appear in Physical Review B