基于InAlN/GaN-on-Si HEMT堆叠的光暗电流比 > 10^7的紫外探测器
应用物理
2018-01-17 v1
摘要
我们展示了一种基于InAlN/GaN-on-Si HEMT的紫外探测器，其光暗电流比 > 10^7。我们蒸发并快速热退火了Ti/Al/Ni/Au金属堆叠，以与InAlN/GaN界面处的二维电子气（2DEG）形成欧姆接触，同时将沟道+势垒层凹槽蚀刻至20 nm深度，以夹断源漏极之间的2DEG。在5 V电压下，于367 nm处测得34 A/W的光谱响应度（SR），同时具有非常高的光暗电流比 > 10^7。我们发现，在固定偏压下，光暗电流比随着光电探测器凹槽长度的增加而降低。所制备的器件表现出 > 10^3的紫外-可见光抑制比，且在5 V时具有 < 32 pA的低暗电流。瞬态测量显示上升和下降时间在3-4 ms范围内。我们研究了增益机制并估算了载流子寿命，其结果与别处报道的结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1709.03692,
title = {UV Detector based on InAlN/GaN-on-Si HEMT Stack with Photo-to-Dark Current Ratio > 107},
author = {Sandeep Kumar and Anamika Singh Pratiyush and Surani Bin Dolmanan and Sudhiranjan Tripathy and Rangarajan Muralidharan and Digbijoy Neelim Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.03692},
year = {2018}
}
备注
12 pages