利用光和热在纳米尺度器件中可控地切换和重置无序构型

量子点在低温下由于电子量子干涉表现出可复现的电导涨落。这些涨落对 underlying 无序势的敏感性直到最近才被充分认识。我们利用这种敏感性获得了一种新工具，以更好地理解背景杂质在高迁移率 AlGaAs/GaAs 异质结和纳米尺度器件电学性质中的作用。具体而言，我们报道了一种非凡的能力：首先通过光照射改变未掺杂 AlGaAs/GaAs 异质结中的无序势，然后在黑暗中通过室温热循环将其重置回初始构型。我们将此行为归因于作为浅受主的 C 背景杂质混合物以及 Si 杂质的深能级俘获。这种“改变与重置”能力在调制掺杂异质结中无法实现，为研究即使很小密度的带电杂质散射如何影响纳米尺度半导体器件的性质提供了一条令人兴奋的途径。