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B-厂实验中 \Upsilon(4S)\to B^0 \bar{B^0} \gamma 背景

高能物理 - 唯象学 2009-10-28 v1

摘要

我们给出了在 B-厂实验中来自辐射衰变 \Upsilon(4S)\to B^0\bar B^0\gamma 的 C-偶数 B^0 \bar B^0 背景的估计。我们的结果显示 B(\Upsilon(4S)\to B^0\bar B^0\gamma) \simeq 3 \times 10^{-9},这表明此类背景在分析 CP 破坏效应时可被安全地忽略。

关键词

引用

@article{arxiv.hep-ph/9510337,
  title  = {$\Upsilon(4S)\to B^0 \bar{B^0} \gamma$ Background at B-Factories},
  author = {P. Colangelo and G. Corcella and G. Nardulli},
  journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/9510337},
  year   = {2009}
}

备注

RevTex, 8 pages, 1 figure (included)