$B^{(*)}\bar B^{(*)}$中间态对$\Upsilon(4S,5S)\to \eta_b+\gamma$辐射衰变的贡献

在这项工作中，我们研究了辐射衰变$\Upsilon(5S)\to\eta_b+\gamma$中的再散射效应，这些效应被认为对于理解分支比$B(\Upsilon(5S)\to \Upsilon(1S)+\pi\pi)$和$B(\Upsilon(5S)\to \Upsilon(1S)+\eta)$的异常大值至关重要。我们的计算表明，再散射效应可能将$\Gamma(\Upsilon(10860)\to \eta_b+\gamma)$增强四个数量级，但四夸克结构则不然。最近，BaBar和CLEO合作组测量了${\eta_b}$的质量以及分支比$\mathcal{B}(\Upsilon(2S)\rightarrow\eta_b+\gamma)$、$\mathcal{B}(\Upsilon(3S)\rightarrow\eta_b+\gamma)$。我们希望很快能测量$\Upsilon(10860)\to \eta_b+\gamma$，这将是检验再散射或四夸克结构哪个导致$\mathcal{B}\big(\Upsilon(5S)\rightarrow\Upsilon(nS)\pi^+\pi^- (n=1,2,3)\big)$异常的绝佳机会，即未来对$\Upsilon(5S)$辐射衰变的测量可能成为这两种机制的试金石。