由扭叠 Chern 绝缘体间层耦合诱导的可调二阶拓扑角落态的普适理论
介观与纳米尺度物理
2024-10-01 v1
摘要
我们提出了一种关于由间层耦合在两个 Chern 绝缘体（具有相反 Chern 数）中诱导出的可调二阶拓扑角落态的普适理论。我们表明，拓扑角落态的存在由扭叠 Chern 绝缘体的扭角与角落两侧正常角度之间的关系决定。此外，通过边缘态理论的严格分析，我们证实了这些角落态的位置可以通过扭角进行灵敏控制。我们的发现作为一种普适理论，为设计和实现更高阶拓扑材料开辟了途径。
引用
@article{arxiv.2409.19328,
title = {Universal theory of tunable second-order topological corner states induced by interlayer coupling in twist bilayer Chern insulators},
author = {Cheng-Ming Miao and Yu-Hao Wan and Ying-Tao Zhang and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.19328},
year = {2024}
}