hosting 电荷密度波的钒 kagome 材料中的普适次线性电阻率

近期在 ScV$_6$Sn$_6$ 中于 $T_{\textrm{CDW}}$ = 91 K 发现的电荷密度波（CDW）态，为理解拓扑 kagome 系统中电子不稳定性的起源提供了新机遇。通过与同构非 CDW 化合物 LuV$_6$Sn$_6$ 对比，我们揭示了 ScV$_6$Sn$_6$ 在电荷有序温度上下有趣的输运性质。我们观察到，沿 $a$ 轴施加磁场时，ScV$_6$Sn$_6$ 的纵向电阻率温度行为在 CDW 转变之上由类金属变为类绝缘。我们表明，在电荷有序态下 ScV$_6$Sn$_6$ 遵循 Fermi 液体行为，而在此之上转变为非 Fermi 液体相，其电阻率在一个宽温区内次线性变化。该按 $T^{3/5}$ 标度的次线性电阻率是其他含钒 kagome 化合物（如展现 CDW 态的 KV$_3$Sb$_5$、RbV$_3$Sb$_5$ 与 CsV$_3$Sb$_5$）的共性特征。相比之下，LuV$_6$Sn$_6$ 中未出现非 Fermi 液体行为。我们从 Dirac 电子与 Van Hove 奇点之间的库仑散射解释了 $T^{3/5}$ 普适标度行为；这是 kagome 材料电子结构的共同特征。最后，我们展示了 ScV$_6$Sn$_6$ 在 $T_{\textrm{CDW}}$ 以下的反常 Hall 类行为，而 Lu 化合物中不存在该行为。比较 ScV$_6$Sn$_6$ 与 LuV$_6$Sn$_6$ 的输运性质，有助于凸显 Sc 化合物中异常 CDW 的影响。