量子霍尔延拓态向上浮动的普遍行为随 B -> 0
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 强关联电子
摘要
我们研究了量子霍尔延拓态与极低密度、高品质二维 n-GaAs 系统中 (μ_peak ~ 2×10^7 cm^2/Vs) 于 B=0 看似金属-绝缘体相转移之间的关系。由于有效质量小和样品品质高，我们能够解析在非常低磁场下 (B=0.015T) 延拓态能量向上浮动的持续现象，尽管在 B=0 处出现了看似的金属-绝缘体相转移。我们提出了修正后的全局相图，将来自不同材料体系中冲突的数据统一起来，并阐明了当 B -> 0 时延拓态命运的差异。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204519,
title = {Universal behaviour in the floating up of quantum Hall extended states as B -> 0},
author = {C. E. Yasin and M. Y. Simmons and A. R. Hamilton and N. E. Lumpkin and R. G. Clark and L. N. Pfeiffer and K. W. West},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204519},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 4 figures