利用直接电子束光刻实现 LiNbO3 铁电畴反转的二维结构
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们报道了在室温下无任何静态偏压的条件下，通过直接电子束光刻在 LiNbO3 中制备畴反转结构。LiNbO3 晶体在电子束曝光后经过化学刻蚀，随后通过原子力显微镜表征了畴反转图样。在我们的实验中，当电子束在负 c 面上写入一维光栅时出现了一个有趣的现象：在正 c 面上观察到了二维点阵，这对于其生产二维和三维光晶体的潜力具有重要意义。此外，通过在负 c 面上写入二维正方形图样，我们还在整个 LiNbO3 晶体中获得了二维铁电畴反转。这种结构可用于制备二维非线性光晶体。AFM 表明，不仅在晶体的负 c 面上，而且在晶体的整个厚度上，都实现了二维畴反转结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507669,
title = {Two-dimensional structures of ferroelectric domain inversion in LiNbO3 by direct electron beam lithography},
author = {J. He and S. H. Tang and Y. Q. Qin and P. Dong and H. Z. Zhang and C. H. Kang and W. X. Sun and Z. X. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507669},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 4 figures