扭曲 WSb$_2$ 中区间谱相干抗磁性无极构象的扭曲角演化

最近的实验报告显示扭曲单层 WSb$_2$ 中关联物理的活跃度，推动了对该系统中电子相互作用与拓扑性之间的相互作用的关注。本文我们在三轨道 Wannier 模型的框架下，使用 Hartree-Fock 近似法探讨了其相图。我们的分析揭示了一种主导的区间谱相干抗磁性不稳定性，其稳定性主要由神经嵌入和共面性决定。当扭曲角较大或相互作用带宽之比较小时，此不稳定性在神经嵌入线附近的孔隙密度高于半填满处出现，由于该区域带的平坦导致强 Fermi 面神经嵌入。在增加相互作用强度或减小扭曲角后，序相逐渐向半填满位置移动，在此处由于共面性效应实现完全能隙打开。抗磁性序参与强强耦合，使其在强耦合极限下的常规态转变变得尖锐，并涉及集体模态。我们的 Hartree-Fock 相图再现了最近实验的关键特征，抗磁性相中的重构费米面和态密度(DOS)解释了这些研究中观察到的细微传输信号。