扭曲WSe$_2$中的重入超导性与斯托纳边界

Lauro B. Braz; Luis G. G. V. Dias da Silva

扭曲WSe$_2$中的重入超导性与斯托纳边界

超导电性 2026-01-21 v1 介观与纳米尺度物理强关联电子

作者: Lauro B. Braz , Luis G. G. V. Dias da Silva

摘要

我们研究了自旋-谷不稳定性及其与最近在扭曲角为 $5^o$ 的扭曲双层二硫族化合物WSe $_2$ 中观察到的重入超导态的联系。从一个用于自旋锁定莫尔带的忠实三轨道有效瓦尼尔模型出发，结合轨道依赖的哈伯德相互作用，我们使用矩阵随机相位近似（mRPA）方法分析了磁不稳定性随载流子密度变化的演化。通过计算电场-空穴填充相图上的自旋-谷磁化率得到的斯托纳边界线，我们表明自旋-谷不稳定性导致在靠近最顶部莫尔价带的Lifshitz转变区域出现有序态，该区域以态密度中范霍夫奇点的交叉为标志。这些自旋-谷有序态由涉及 $MM$ 和 $MX$ 莫尔轨道的轨道间自旋-谷翻转主导，并发生在范霍夫线两侧的不同动量处，表明自旋-谷序参量依赖于空穴填充的空间依赖性。此外，相应的斯托纳边界在其侧翼表现出强烈的涨落，这有利于在靠近自旋-谷有序态的区域形成超导态。这一机制为重入超导穹顶提供了一种与实验结果一致的自然描述。因此，我们的结果表明，范霍夫线附近的自旋-谷涨落是扭曲WSe $_2$ 中重入超导性的微观起源。

关键词

重入超导性斯托纳边界扭曲WSe$_2$ 自旋-谷不稳定性范霍夫奇点矩阵随机相位近似莫尔带

引用

@article{arxiv.2601.12170,
  title  = {Reentrant superconductivity and Stoner boundaries in twisted WSe$_2$},
  author = {Lauro B. Braz and Luis G. G. V. Dias da Silva},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2601.12170},
  year   = {2026}
}

备注

8 pages, 4 figures

扭曲WSe$_2$中的重入超导性与斯托纳边界

摘要

关键词

引用

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