由莫尔WSe2中可调范霍夫奇点控制的关联态
强关联电子
2024-07-29 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
过渡金属二硫族化物半导体的扭曲双层结构使得超导、铁磁、关联绝缘体以及一系列新的拓扑物相得以发现。然而，这些电子相与这些材料中底层能带结构奇点之间的联系在很大程度上仍未得到探索。本文结合磁圆二色性和电子压缩率测量，研究了在扭转角为2-3度的双层WSe2中范霍夫奇点对关联相的影响。我们证明，通过利用电场和磁场调节范霍夫奇点穿过费米能级，可以在莫尔晶格填充数小于1时稳定斯通纳铁磁，并在填充数为1时稳定陈绝缘体。实验观测得到了连续模型能带结构计算的支持。我们的结果突显了通过可调范霍夫奇点工程化电子相的前景。
引用
@article{arxiv.2406.03315,
title = {Correlated states controlled by tunable van Hove singularity in moir\'e WSe2},
author = {Patrick Knüppel and Jiacheng Zhu and Yiyu Xia and Zhengchao Xia and Zhongdong Han and Yihang Zeng and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jie Shan and Kin Fai Mak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.03315},
year = {2024}
}