扭转双层锗烯中的莫尔调制带隙与范霍夫奇点

扭转二维拓扑绝缘体的双层结构有可能创造出独特的物质量子态。在此，我们在 Ge2Pt(101) 上成功合成了扭转角为 21.8° 的扭转双层锗烯，对应于一种公度 ($\sqrt{7} \times \sqrt{7}$) 结构。利用扫描隧道显微镜和光谱学，我们揭示了该构型的结构和电子性质，发现了一个莫尔调制的带隙和一个明确定义的边缘态。该带隙在 AB/BA 堆垛位点打开，在 AA 堆垛位点闭合，这一现象归因于扫描隧道显微镜针尖诱导的电场。我们的研究进一步揭示了位于 -0.8 eV 和 +1.04 eV 的两个范霍夫奇点，由此得出费米速度为 $(8 \pm 1) \times 10^5$ m/s。我们的紧束缚计算结果揭示了一种独特的量子态，其拓扑性质可通过电场进行调控，可能触发两个拓扑相变。