单层石墨烯中莫尔米单元内局部修饰态生子效应的直接观测
介观与纳米尺度物理
2025-07-09 v1 材料科学
摘要
双层石墨烯形成莫尔米超晶格，具有由能带杂化和van Hovich奇点出现所决定的独特电子和光学特性，这取决于扭角。针对由长程周期性引起的莫尔米超晶格的全局特性进行了大量研究，但针对莫尔米单元内局部特性的关注有限，这些特性因三维原子排列的差异而异。本文利用基于色谱色散型透射电子显微镜的电子能量损失谱，展示了碳1s电子向未占据的van Hovich奇点进行的高度局域激发。与van Hovich奇点相关的核心级激发显示出系统性的扭角依赖，这类似于光学激发。此外，首次证实了莫尔米单元内这些核心级van Hovich奇峰的局部变异，这可能源于核心-激子寿命和由局部堆叠几何引起的能带修饰。
引用
@article{arxiv.2507.05560,
title = {Direct observation of locally modified excitonic effect within a moir\'e unit cell in twisted bilayer graphene},
author = {Ming Liu and Ryosuke Senga and Masanori Koshino and Yung-Chang Lin and Kazu Suenaga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.05560},
year = {2025}
}
备注
33 pages with 4 figures for maintext and 5 pages with 3 figures for supporting information