基于镝的内嵌单分子磁体中的隧穿、剩磁与阻挫
材料科学
2014-03-05 v1 强关联电子
摘要
单分子磁体 (SMM) 可以在很长一段时间内保持其磁化方向 [1,2]。它由少量原子组成，这有助于理解和控制基态，这对于高密度信息存储或量子计算机等未来应用至关重要 [3,4]。内嵌富勒烯实现了 robust、纳米尺度且在化学上受到保护的磁性团簇，这些团簇在自然界中不作为自由物种存在。在此，我们展示了向碳笼中添加一个、两个或三个镝原子如何导致三种不同的磁性基态。显著不同的磁滞回线证明了磁矩数量及其相互作用的决定性影响。在零场下，这种比较关联了磁化隧穿、剩磁和阻挫。三镝物种的基态被证明是最简单的阻挫、铁磁耦合磁性系统实现之一。
引用
@article{arxiv.1310.5040,
title = {Tunneling, Remanence, and Frustration in Dysprosium based Endohedral Single Molecule Magnets},
author = {Rasmus Westerström and Jan Dreiser and Cinthia Piamonteze and Matthias Muntwiler and Stephen Weyeneth and Karl Krämer and Shi-Xia Liu and Silvio Decurtins and Alexey Popov and Shangfeng Yang and Lothar Dunsch and Thomas Greber},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5040},
year = {2014}
}
备注
14 pages (latex file) + 3 seperate figures (jpeg)