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带隙石墨烯圆盘在磁通与静电势作用下的隧穿效应

介观与纳米尺度物理 2021-12-15 v1 量子物理

摘要

我们研究了在有限质量项作用于圆盘区域 (R1<r<R2)(R_1< r<R_2) 和静电势的影响下,由穿透内圆盘的螺线管产生的可变磁通 Φi\Phi_{i} 存在时,石墨烯 Corbino 圆盘的隧穿效应。考虑不同区域,我们利用 Hankel 函数显式确定了相关的本征旋量。利用匹配条件以及 Hankel 函数在大宗量下的渐近行为,我们得以计算透射率和其他输运量。我们的结果表明,能隙通过产生对应于由 Fano 因子 FF 量化的最大散粒噪声峰值的零透射奇点来抑制隧穿效应。透射率作为半径比 R2/R1R_2/R_1 的函数呈振荡变化,周期和振幅均减小。对于较大的能隙值,透射率甚至可以达到 1(Klein 隧穿)。在点 kFR1=R1δk_F R_1=R_1 \delta 处观察到最小电导的出现。最后,我们发现静电势可以控制带隙的影响。

关键词

引用

@article{arxiv.2108.01159,
  title  = {Tunneling Effect in Gapped Graphene Disk in Magnetic Flux and Electrostatic Potential},
  author = {A. Babe Cheikh and A. Bouhlal and A. Jellal and E. H. Atmani},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2108.01159},
  year   = {2021}
}

备注

12 pages, 10 figures