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铁磁半金属Co$_2$CrAl-超导体异质结构中的隧穿效应

超导电性 2010-03-29 v1

摘要

制备并研究了铁磁半金属Co2_2CrAl薄膜以及Co2_2CrAl-绝缘体(I)-Pb隧穿接触。发现低电阻此类隧穿结的归一化微分电导σFS\sigma ^{\rm FS}大于已知正常金属-I-超导体型隧穿结的归一化微分电导σNS\sigma ^{\rm NS}。结果表明,观测到的σFS\sigma ^{\rm FS}增大是由超导体中自旋极化电子的积累引起的,可用于估算铁磁体中的自旋极化度PP。该方法表明,在T=4.2KT = 4.2{\rm K}时,L21_1型有序Co2_2CrAl Heusler合金薄膜的PP接近1。

关键词

引用

@article{arxiv.1003.5093,
  title  = {Tunnel effect in ferromagnetic half-metal Co$_2$CrAl-superconductor heterostructures},
  author = {E. M. Rudenko and I. V. Korotash and Y. V. Shlapak and Y. V. Kudryavtsev and A. A. Krakovnyi and M. V. Dyakin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5093},
  year   = {2010}
}

备注

5 pages, 4 figures