铁磁半金属Co$_2$CrAl-超导体异质结构中的隧穿效应
超导电性
2010-03-29 v1
摘要
制备并研究了铁磁半金属CoCrAl薄膜以及CoCrAl-绝缘体(I)-Pb隧穿接触。发现低电阻此类隧穿结的归一化微分电导大于已知正常金属-I-超导体型隧穿结的归一化微分电导。结果表明,观测到的增大是由超导体中自旋极化电子的积累引起的,可用于估算铁磁体中的自旋极化度。该方法表明,在时,L2型有序CoCrAl Heusler合金薄膜的接近1。
引用
@article{arxiv.1003.5093,
title = {Tunnel effect in ferromagnetic half-metal Co$_2$CrAl-superconductor heterostructures},
author = {E. M. Rudenko and I. V. Korotash and Y. V. Shlapak and Y. V. Kudryavtsev and A. A. Krakovnyi and M. V. Dyakin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5093},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures