利用相邻金属栅极调控刻蚀石墨烯双量子点的点间隧穿耦合
介观与纳米尺度物理
2014-06-18 v2 量子物理
摘要
石墨烯双量子点为在这种新型电子材料中利用电荷或自旋自由度存储和操纵量子信息提供了可能性。然而，刻蚀石墨烯纳米结构中的杂质和边缘无序阻碍了对人工分子最重要性质——点间隧穿耦合 的控制。本文报道了在全金属栅极调控的石墨烯双量子点 (DQD) 中对 的测量。我们发现，通过使用单个栅极， 可以连续调控约四倍。此外，随着电子被栅极泵浦逐个进入量子点， 还可以单调变化另外约四倍。结果表明，刻蚀 DQD 中的隧穿耦合强度可以在较宽范围内以可控方式变化，这改善了将石墨烯用作量子比特应用基础材料的前景。
引用
@article{arxiv.1307.5663,
title = {Tuning inter-dot tunnel coupling of an etched graphene double quantum dot by adjacent metal gates},
author = {Da Wei and Hai-Ou Li and Gang Cao and Gang Luo and Zhi-Xiong Zheng and Tao Tu and Ming Xiao and Guang-Can Guo and Hong-Wen Jiang and Guo-Ping Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.5663},
year = {2014}
}
备注
18pages,10 figures