半导体中可调谐局部极子模式

我们研究由具有强电子-声子耦合的深缺陷中心导致的极子带隙内局部态。涉及深能级的电子跃迁可能导致局部弹性常数的改变。在这种情况下，杂质极子态密度发生显著的可逆变形，包括杂质极子带的出现/消失、其位移和/或形状的修改。这些变化可以通过热和光激发局部电子态或注入电荷载子的捕获来诱导。我们发展了一个简单模型，用于 $O_P$ 中心中的 $GaP$。讨论了该效应的可能实验实现方式。