节线半金属中由拓扑约束形成的可调带电畴壁
介观与纳米尺度物理
2020-06-16 v2 材料科学
摘要
我们从理论上研究了拓扑节线半金属的能带结构。我们表明，在存在形成畴壁的开隙空间依赖质量项时，畴壁处会出现带隙内的带电局域模。这种畴壁由头对头（或尾对尾）的体电极化实现。该局域模具有拓扑起源，即实现了拓扑约束，这可通过在半经典动量-实空间中定义的半经典拓扑数来理解。与以往研究不同，我们的研究展示了在无体拓扑数的两个绝缘体之间界面上的拓扑约束。此外，局域模的色散随体能隙增大从无能隙演变为有能隙，这意味着其电导是可外部调控的。我们讨论了稳定、电可调带电畴壁的可能实验实现。
引用
@article{arxiv.1905.02129,
title = {Tunable Charged Domain Wall from Topological Confinement in Nodal-Line Semimetals},
author = {Akihiko Sekine and Naoto Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.02129},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures + 5 pages, 5 figures