迈向基于聚乙炔的电子纳米器件中的电控畴壁
介观与纳米尺度物理
2025-03-17 v2
摘要
我们在理论上提出了一种基于聚合物的纳米器件，由一个与外部电压栅极电容耦合的单个反式聚乙炔（tPA）分子组成。我们使用类 Su-Schrieffer-Heeger (SSH) Hamiltonian 对该集成器件进行建模，并证明了在栅极处局域出现具有量子化电荷（即孤子激发）的局域畴壁（DWs）。有趣的是，通过增加施加的电压，可以积累多个离散电荷，这可能对潜在的技术应用有用。利用 tPA 孤子激发的拓扑特性，该器件可被视为一种具有非常大且鲁棒的量子化电荷的有机基量子点。
引用
@article{arxiv.2404.15257,
title = {Towards electrical domain-wall control in polyacetylene-based electronic nanodevices},
author = {Leandro M. Arancibia and Andrés I. Bertoni and Cristián G. Sánchez and Alejandro M. Lobos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.15257},
year = {2025}
}
备注
16 pages, 5 figures