有限温度下由三重激子驱动的拓扑 Mott 绝缘体
强关联电子
2025-07-21 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们受实验中量子异常 Hall (QAH) 电子隧穿间隙远高于 Curie 温度的启发, 应用确定性量子蒙特卡罗方法对两种不同几何结构的格点模型进行分析: checkerboard 量子自旋-Hall-Hubbard 模型和广义 Kane-Mele-Hubbard 模型. 在两种情况下, 在四分之一填充处均出现总 Chern 数 的不可压缩 QAH 相, 且温度远高于 Curie 温度. 每个自旋通道携带其自身非量化的 Chern 数, 但仅部分填充, 揭示一种在磁性有序出现前 Mottness 打开电子隧穿间隙的拓扑 Mott 绝缘体. 电子激发将绑定三重激子以抑制净磁化, 这是一种在均匀场理论中不存在的许多体动态效应. 两种截然不同模型结果的一致性表明, 将 Mottness 与带拓扑耦合可普遍产生一种高温 QAH 绝缘体, 其电子激发被三重激子所修饰.
引用
@article{arxiv.2507.07178,
title = {Triplet Exciton-driven Topological Mott insulator at Finite Temperature},
author = {Peizhi Mai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.07178},
year = {2025}
}