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单层过渡金属三氯化物中由关联驱动的拓扑相变:从面内磁化量子反常霍尔态到莫特绝缘相

强关联电子 2017-05-10 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

基于密度泛函理论(DFT)计算,我们预测单层 OsCl3_3——一种层间耦合弱于石墨的层状材料——具有量子反常霍尔(QAH)绝缘相,该相由锇原子的蜂窝晶格、其强自旋-轨道耦合(SOC)以及具有{\em 面内}易磁化轴方向的铁磁基态共同产生。由 SOC 打开的带隙为 Eg67E_g \simeq 67 meV(若易磁化轴可通过外加电场倾斜出面外,则 191\simeq 191 meV),并且这种{\em 各向异性平面转子}铁磁体的居里温度估计为 TC350T_\mathrm{C} \lesssim 350 K。由穿过费米能级的 Os t2gt_{2g} 能带流形产生的陈数 C=1\mathcal{C}=-1,表明在有限宽度的纳米带中存在单一手性边缘态,我们进一步展示了锯齿形边缘态在空间上比扶手椅形边缘态更窄,并研究了在 Os 位点存在空位时的边缘态输运。由于 Os 的 5d5d 电子同时表现出强 SOC 和中等关联效应,我们采用 DFT+U 计算来展示增加在位库仑排斥 UU 如何:在 0<U<Uc0 < U < U_c 范围内逐渐减小 EgE_g 同时保持 C=1\mathcal{C} = -1;在 UcU_c 处导致 Eg=0E_g = 0 的金属相;并在 U>UcU > U_c 时打开拓扑平庸的莫特绝缘相(C=0\mathcal{C}=0)的能隙。

关键词

引用

@article{arxiv.1610.02719,
  title  = {Correlation-driven topological phase transition from in-plane magnetized quantum anomalous Hall to Mott insulating phase in monolayer transition metal trichlorides},
  author = {Xian-Lei Sheng and Branislav K. Nikolic},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1610.02719},
  year   = {2017}
}

备注

6 pages, 5 color PDF figures, PDFLaTeX