OsCl$_3$ 单层中面内磁化取向驱动的拓扑相变
强关联电子
2025-01-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
结果表明，OsCl 单层中由面内磁化引起的量子反常霍尔效应呈现出由晶体对称性和磁性决定的不同电子拓扑相。在这种 Chern 绝缘体中，Os 原子形成具有易面铁磁构型的二维平面蜂窝结构，并且基于系统的镜面对称性，存在用于调节电子结构拓扑的所需非绝热路径。利用密度泛函理论（DFT）计算，通过改变磁矩取向来识别这些可调相。我们论证了与屈曲系统相反，此处 Cl 配体通过破坏面内镜面对称性将非平凡拓扑引入系统。磁各向异性与电子能带拓扑之间的相互作用改变了 Chern 数，从而改变了拓扑相。我们的 DFT 研究得到了相关对称性的全面分析以及使用通用紧束缚模型对拓扑相变的详细解释的佐证。
引用
@article{arxiv.2401.13449,
title = {In-plane magnetization orientation driven topological phase transition in OsCl$_3$ monolayer},
author = {Ritwik Das and Subhadeep Bandyopadhyay and Indra Dasgupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.13449},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 6 figures