Cd 同位素中的过渡$\gamma$强度

利用奥斯陆方法 (Oslo method)，从粒子-$\gamma$符合数据中提取了$^{105,106,111,112}$Cd 的能级密度和$\gamma$射线强度函数。所得能级密度在低激发能处与已知能级非常吻合。$\gamma$射线强度函数在低$\gamma$能量下未显示出强烈的增强。然而，$^{105,106}$Cd 比$^{111,112}$Cd 表现出更多的低能强度。对于$\approx$ 4 MeV 以上的$\gamma$能量，有证据表明存在额外的强度，这与之前在 Sn 同位素中观察到的情况相似。这种额外强度的起源尚不清楚；它可能分别源于中子皮振荡产生的$E1$跃迁或自旋翻转共振产生的$M1$跃迁。