利用奥斯陆方法探索中子缺位 $^{109}$In 同位素的统计性质

利用 $^{106}$Cd$(\alpha,p\gamma)^{109}$In 反应的数据，结合奥斯陆方法和形变方法，首次提取了中子缺位 $^{109}$In 同位素的核能级密度（NLD）和 $\gamma$ 射线强度函数（GSF）。这两个量与邻近的 Cd 和 Sn 核一致，但与当前可用的模型预测存在显著差异。与邻近同位素链中的早期观测不同，$^{109}$In 在中子分离能附近未表现出偶极强度的显著增强。为解释这一特征，对 $^{109}$In 及邻近的 $^{110,112}$Sn 核进行了随机相位时间阻断近似计算。实验数据还被用于利用反应程序 TALYS 估算辐射性中子俘获反应 $^{108}$In$(n,\gamma)^{109}$In 和质子俘获反应 $^{108}$Cd$(p,\gamma)^{109}$In 的截面和速率。我们的 $(p,\gamma)$ 截面与宽质子能区内的直接测量结果吻合良好，而 $(n,\gamma)$ 截面与 JINA REACLIB 库的预测存在显著偏差。$^{109}$In 统计性质的新结果为解决大模型不确定性影响天体物理 $p$ 过程模拟精度的问题提供了有价值的约束。