来自热中子俘获数据的低能$\gamma$射线强度增强的首个证据

$\gamma$射线强度函数，即平均约化$\gamma$射线跃迁概率，是用于模拟比Fe更重元素核合成过程的$(n,\gamma)$截面的基本输入。自2004年以来，已在众多原子核的反应数据中测得$\gamma$射线能量低于$\approx2 - 4$ MeV时$\gamma$衰变概率的增强。这被观测为随$\gamma$射线能量降低而增加的$\gamma$射线强度，常被称为$\gamma$射线强度中的低能增强或\textit{上弯}。然而，证实该增强的可用数据仅对应于含带电粒子的反应，且尚未从中子诱发反应测量中确认任何低能增强。本工作中，我们给出了来自中子俘获反应数据的低能$\gamma$射线强度增强的首个证据。利用$^{58,60}$Ni上热中子俘获后的$\gamma$射线能谱，确定了$^{59,61}$Ni中初级与次级$\gamma$射线的强度，显示分别在$\approx 3$ MeV和$\approx 2$ MeV以下能量处存在增强。首次观测到该增强下至$\approx0.2$ MeV的$\gamma$射线能量。此外，利用可用的自旋-宇称指派获得了这些跃迁的多极性与电磁特性，表明该低能增强以$M1$和$E2$强度为主，$E1$强度也超出标准洛伦兹模型预测。最后，进行了大基壳模型计算，同样预测了低$\gamma$射线能量处强烈的$M1$增强。