迈向避免假冒存储器：识别DRAM来源
密码学与安全
2021-06-29 v1
摘要
由于半导体供应链的全球化，假冒动态随机存取存储器（DRAM）芯片/模块正以惊人速度在全球蔓延。将假冒DRAM模块部署到电子系统中，会因其劣质、性能差和寿命短而对安全和可靠性领域造成严重后果。此外，研究表明假冒DRAM可能更易受复杂攻击。然而，由于其特性及通过初始测试的能力，检测假冒DRAM非常困难。本文提出一种识别DRAM来源（即制造商来源与单个DRAM的规格）的技术，以检测并防止假冒DRAM模块。硅验证表明，所提方法能可靠识别来自三家主要制造商的现货DRAM模块。
引用
@article{arxiv.1911.03395,
title = {Towards the Avoidance of Counterfeit Memory: Identifying the DRAM Origin},
author = {B. M. S. Bahar Talukder and Vineetha Menon and Biswajit Ray and Tempestt Neal and Md Tauhidur Rahman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03395},
year = {2021}
}