面向GaAs双量子点中高保真相干电子自旋传输

本文中，我们研究如何在GaAs双量子点中实现高保真电子自旋传输。我们的研究从多个视角考察自旋传输。我们首先研究双点势如何影响/加速自旋弛豫。我们在广泛的实验参数范围内计算自旋弛豫率，并聚焦于自旋热点的出现。我们确定了一个安全参数区间以避免这些自旋热点。我们还研究扫描点间失谐的Landau-Zener过程中的非绝热跃迁，并提出一种利用可能的Landau-Zener-Stückelberg干涉以更高速度实现高保真自旋传输的方案。最后，我们计算双点对隧穿电子有效$g$因子的修正，并估计不同自旋态间由此产生的相位误差。我们的结果应为未来相干电子自旋传输实验提供有用的指导。