栅极定义 GaAs/AlGaAs 量子点中多电子高自旋态的制备与读出
介观与纳米尺度物理
2021-09-01 v1
摘要
我们报道了在栅极定义的 GaAs/AlGaAs 单量子点中，利用与量子点耦合的量子霍尔边缘态进行自旋过滤，制备并读出多电子高自旋态——三电子四重态和四电子五重态。该读出方案由多电子到双电子自旋态的映射以及随后的双电子自旋读出组成，从而免除了分辨密集多电子能级的必要。使用此技术，我们测量了高自旋态的弛豫，发现其比低自旋态的弛豫快一个数量级。使用精确对角化方法对自旋弛豫率进行的数值计算与实验相符。此处开发的技术为量子点中高自旋态的研究与应用提供了新工具。
引用
@article{arxiv.2108.13663,
title = {Preparation and Readout of Multielectron High-Spin States in a Gate-Defined GaAs/AlGaAs Quantum Dot},
author = {H. Kiyama and K. Yoshimi and T. Kato and T. Nakajima and A. Oiwa and S. Tarucha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.13663},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 4 figures