GaAs 双量子点中受驱混合量子比特的单次读出
量子物理
2021-06-29 v2
摘要
我们报道了由 GaAs 双量子点中三个电子构成的半导体混合量子比特基于单次投影的读出。量子比特操作与读出条件之间电压控制的绝热跃迁实现了量子态的高保真映射。我们表明，弛豫时间与隧穿时间之比（约 50）以及单态-三重态分裂与热能之比（约 20）均较大，使得基于能量选择性隧穿的自旋-电荷转换具有约 92.6% 的读出可见度。结合交流驱动，我们展示了 GaAs 中混合量子比特的高可见度相干 Rabi 和 Ramsey 振荡。此外，我们讨论了该方法在其他材料（包括硅）中使用的普适性。
引用
@article{arxiv.2101.11864,
title = {Single-shot readout of a driven hybrid qubit in a GaAs double quantum dot},
author = {Wonjin Jang and Min-Kyun Cho and Hyeongyu Jang and Jehyun Kim and Jaemin Park and Gyeonghun Kim and Byoungwoo Kang and Hwanchul Jung and Vladimir Umansky and Dohun Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.11864},
year = {2021}
}