磁双层中由拓扑驱动的解 confinement 量子临界性

二维量子反亚磁性体被认为会拥有其激发更为根本于有序相中激发的物质相。当将两个此类自旋系统组合成双层时，由新兴激发之间的强相互作用可产生在任一子系统中都未实现的相。我们表明，二维自旋液态状态的临界涨落可在接近的反亚磁性体中诱导解 confinement 量子临界点。最相关的耦合由每层中新兴规范场之间的混合 Chern-Simons 项给出。这描述了一种拓扑电流-电流相互作用。与局部自旋-自旋相互作用不同，它强烈地修改了描述反亚磁性-价值束 solid 相变的RG流。特别是，与其耦合常数有关的保护耦合意味着临界域内的相关性长度呈非普适幂律发散，以及在其附近呈贝尔茨inskii-Kosterlitz-Thouless 发散。