广义电四极绝缘体中的拓扑态
介观与纳米尺度物理
2020-05-27 v3 强关联电子
摘要
现代电极化理论近来已推广至更高多极矩，如四极矩与八极矩。高阶电多极绝缘体本质上是受潜在晶体对称性保护的拓扑晶体相。因此，自然要问在这些高阶多极绝缘体中对称性破缺的后果是什么。本工作中，我们研究广义电四极绝缘体中的拓扑相及对称性破缺的后果。具体而言，我们通过添加特定项来推广Benalcazar-Bernevig-Hughes模型，以破缺晶体与非空间对称性。我们的结果表明，手征对称性破缺诱导出一种间接带隙相，将角模隐藏于体能带中，破坏了拓扑四极相。我们还证明，即使在广义模型中不存在镜面对称性，四极矩仍可保持量子化。此外，研究表明拓扑四极相对系统中存在的一类独特无序具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1912.12487,
title = {Topological States in Generalized Electric Quadrupole Insulators},
author = {Chang-An Li and Shu-Shan Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.12487},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 10 figures, and 1 table. Published version